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由普渡大学物理与天文学及电子与计算机工程教授领导的一个研究团队在一项日前被《纳米快报》接收的研究中，发现层状材料二硫化锗（GeS₂）能够承载可控的自旋缺陷（即一种能够俘获具有磁性的电子的小型缺陷），并在常温下保持稳定。研究人员表示，这些缺陷可作为量子比特存储和处理量子信息，未来有望应用于分子级成像、先进传感器，甚至室温量子计算机。