普渡大学科学家利用层状材料二硫化锗解锁室温自旋量子比特
由普渡大学物理与天文学及电子与计算机工程教授领导的一个研究团队在一项日前被《纳米快报》接收的研究中,发现层状材料二硫化锗(GeS₂)能够承载可控的自旋缺陷(即一种能够俘获具有磁性…
量科快讯
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