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4H-SiC中的色心自旋提供了一种罕见的组合优势，既具备晶圆级材料的成熟度，又兼具长自旋相干性与芯片级光子学特性，使其成为可扩展量子技术的理想构建单元。其中硅空位缺陷具有S=3/2基态特性，这种天然的多能级量子比特（qudit）可实现紧凑编码和子空间选择性操控，但同时也引入了旁观能级跃迁现象——短脉冲即使失谐仍会相干驱动非目标能级对，导致串扰产生。本研究通过宽带拉姆齐干涉法揭示并量化了此类旁观跃迁串扰。实验观测显示，拉姆齐傅里叶光谱在目标单量子跃迁之外呈现多条谱线。理论分析表明，每条谱线对应旋转坐标系哈密顿量中qudit能级间的成对能量差，其权重由制备态与微波脉冲参数共同决定的紧凑振幅决定，由此预言了确定的六分支结构。基于实验采样参数的数值时域传播成功复现了失谐图谱，测量峰位与分析分支线完全吻合且无需频率拟合。这些成果共同构建了硅空位qudit多能级操控的实用化旁观效应感知框架。该框架不仅为抑制串扰提供明确指导，也可逆向利用旁观谱线——例如作为原位脉冲校准的附加约束条件，或用于相位敏感的量子态及过程估计。