弱非谐性NbSe2量子比特中的相干振荡

量子器件的功能化以提升性能并拓展应用领域是当前极为活跃的研究方向。最具前景的技术路径之一是用高性能材料替代铝材。在此背景下,范德瓦尔斯(vdW)材料因其可将独特物性嵌入量子比特而成为理想候选材料。但迄今为止,除石墨烯外的其他vdW材料尚未实现量子比特制备。该研究团队展示了一种弱非谐性NbSe2量子比特,其弛豫时间T1达6.5±0.4微秒,较其他vdW量子比特提升约两个数量级,且在5-10个热光子噪声环境下仍保持稳定。该工作不仅验证了vdW材料集成于量子技术的优势,更为实现暗物质探测这一挑战性领域中量子非破坏性光子检测协议迈出了关键第一步。
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提交arXiv: 2025-09-21 17:08

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