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将相干量子发射器与硅光子平台集成，对实现可扩展量子技术至关重要。该研究团队展示了电控自组装量子点嵌入GaAs波导的结构，该结构通过键合工艺与SiO2/Si衬底集成，并与低损耗SiN波导耦合。该方法采用芯片间粘合工艺实现绝缘体上GaAs平台，其中包含用于抑制电荷噪声的p-i-n结以及激子跃迁的斯塔克调谐。共振荧光测量显示光学线宽窄于2微电子伏特，且单光子纯度优异，与未经处理的GaAs器件性能相当。这些成果为将高相干量子光源与成熟硅光子技术集成提供了实用路径，为可扩展量子光子集成电路的实现奠定了基础。