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该研究团队证明，以Yb(trensal)分子纳米磁体为平台（其电子自旋量子比特与核自旋高维量子比特耦合），可理想地探究比特-高维比特系统的纠缠现象。研究人员通过开发优化脉冲序列验证广义贝尔不等式的破缺，并结合实验测量的退相干数据进行真实数值模拟，结果表明这些不等式在广泛参数范围内均被显著突破，证实了该系统中纠缠态的稳健性。此外，该工作提出在分子自旋三聚体上研究高维比特间纠缠的方案：通过中间开关调控两个自旋3/2粒子间的相互作用启停状态。