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高阶拓扑绝缘体（HOTIs）代表了一类超越传统体-边对应关系的拓扑相。d维n阶HOTIs保持(d - n)维无间隙边界态（特别当d = n = 2时表现为零维角态）。Wannier型HOTIs可拓展至非线性区域，而以多极绝缘体形式存在的另一重要HOTIs类别，由于需同时实现负向跃迁与强非线性的技术挑战，此前仅在线性区域被研究。该研究团队提出非线性四极拓扑绝缘体（NLQTIs）新概念，并在电路晶格中实现实验验证。淬灭引发的动力学行为分别在弱非线性和强非线性区域产生了非线性拓扑角态与拓扑平庸角孤子。此外，研究人员揭示了两种体孤子的形成机制：一种存在于弱非线性作用下的中间有限带隙，另一种出现于强非线性导致的半无限带隙中。该工作实现了非线性HOTI家族的新成员，为探索广泛拓扑绝缘体中新型孤子指明了方向。