量子科技中心_量科网

该研究在低阻尼磁性材料领域取得突破性进展，直接回应了量子计算和低温电子学对超低损耗元器件的需求。研究人员通过采用缓冲层隔离和抑制顺磁性衬底的界面顺磁效应，开发出制备单晶微米级厚度低阻尼钇铁石榴石（YIG）薄膜的新方法。在钆镓衬底上通过液相外延生长的钇钪镓石榴石抗磁缓冲层，使YIG薄膜展现出平面薄层结构前所未有的均匀性——4K温度下铁磁共振线宽仅为4.9 MHz，16mK下为5.9 MHz，均为目前报道的最低值。这些发现揭示了界面工程对突破材料本征极限的关键作用，为自旋电子技术的进一步优化开辟了新途径。