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过渡金属二硫化物（TMDs）中的局域化量子发射体最近已成为按需单光子源的固态候选材料。由于应变在TMD发射体位点选择性形成中的作用，通过拾取和放置方法可将其与光腔和波导等光子结构进行混合集成。本研究探讨了由单层WSe2与水平排列InP纳米线（NWs）界面组成的混合结构中的量子发射现象。实验显示在715-785 nm光谱范围内存在多个窄而亮的发射峰，g(2)(0)值低至0.049，表明具有强反聚束效应和良好的单光子纯度。III-V族纳米线的多面体特性为应变工程提供了独特机遇，包括将发射体置于顶面以实现最佳耦合的潜力。该研究成果为实现集成量子光子学的混合量子光源开辟了新途径，有望将III-V族量子点与TMD发射体结合到统一平台中。