要在半导体自旋量子比特中编码量子信息，需利用电压脉冲进行初始化、门操作和读取。然而，这些脉冲会因散热导致自旋量子比特频率偏移并降低门操作保真度。量子点器件中这种脉冲发热的成因尚不明确。本研究通过硅/硅锗量子点中的带电双能级涨落源（TLFs）测量脉冲发热现象，发现TLFs对脉冲发热高度敏感。发热程度与脉冲幅度和频率相关，但与脉冲门和TLFs之间的距离无关；同时发热量普遍受脉冲门空闲电压影响，表明门结构下方或附近积累的电子是发热主因。该团队提出假设：减少电子富集区域的门结构面积可能有效缓解发热问题。
