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硅基α相钽是高相干超导量子电路极具前景的平台，然而学界对其生长机制仍缺乏深入理解。该研究团队针对不同基底上α相钽薄膜生长开展了系统性研究，通过实验证实了基底材料德拜温度对钽薄膜相选择机制的决定性作用，这一发现颠覆了先前关于基底温度影响的假设。研究关键性表明：α相钽仅在形成7-10纳米厚的β相钽过渡层后才会开始生长，这导致20至150纳米总厚度样品的临界温度分布于3.77开尔文至4.39开尔文区间。最后，研究人员对比了硅基高质量铝和钽共面谐振器，展示了尺寸仅4/10.5/4微米的紧凑型钽谐振器在单光子激发功率下可实现超过1000万的内部品质因数。