量子科技中心_量科网

六方氮化硼（hBN）中带负电的硼空位中心（VB⁻）因其在量子传感领域的应用潜力而备受关注。尽管此前已证实该缺陷可在低磁场环境下实现千兆赫兹级传感，但其在高磁场中的行为仍属研究空白。该团队研究了VB⁻中心在15–250K温度范围和高达7T磁场（对应基态分裂约200GHz）下的自旋弛豫动力学，揭示了从低温弱场下自旋-自旋相互作用主导的拉伸指数弛豫，到强磁场下单声子过程主导弛豫的转变机制。通过提取弛豫速率随温度和磁场的标度行为，研究人员定量刻画了VB⁻中心与环境相互作用的物理图景。该工作为基于二维自旋缺陷平台的亚太赫兹高场量子传感器研发奠定了基础。