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来自大邱庆北科学技术院（DGIST）能源科学与工程系的研究人员开发出了一种直接光学光刻（DOL）技术，可在无需光刻胶的情况下，仅使用光便可对量子点进行超高分辨率刻蚀。同时，团队还提出了用于选择关键交联剂的指导原则，这些交联剂对制造高性能量子点发光二极管（QLED）至关重要。这一成果被视为一项核心基础技术，可广泛应用于各类光电器件，包括微型QLED、超高分辨率显示器、透明电子器件以及下一代图像传感器。相关研究成果已于日前发表在材料化学领域的权威期刊《纳米快报》和《美国化学学会纳米杂志》 上。