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来自美国哥伦比亚大学、德国慕尼黑工业大学、德国德累斯顿工业大学、英国伦敦国王学院、荷兰拉德堡德大学、捷克布拉格化工大学、德国雷根斯堡大学及美国国家可再生能源实验室（NREL）的实验与理论物理学家们，发现超薄铬硫溴化物（CrSBr）磁性薄膜中存在异常的激子行为。该研究表明，由于这种材料的反铁磁特性，激子会在CrSBr薄膜表面形成，能量为1.34电子伏特，这与每个体相层内形成的激子（能量1.36电子伏特）有着明显不同。该发现为一类高度专业化的材料提供了基础性理解，有望帮助工程师在未来实现对激子的精确控制和调控，从而推动量子计算、光子学、自旋电子学及其他前沿技术的发展。相关研究成果已于日前发表在《自然·材料》期刊。