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纽约大学（NYU）的研究人员近日展示了一种新的制造方法，使得探索用于量子硬件的更广范超导材料成为了可能。该研究成果发表在《应用物理快报》上，该研究针对一项长期难题，即许多有前景的超导材料如过渡金属氮化物、碳化物和硅化物，用传统化学方法难以加工成功能性器件。研究团队称，一种名为低能离子束蚀刻（low-energy ion beam etching，IBE）的技术可以用于制造高性能量子器件。他们使用已被广泛研究的超导材料铌（niobium）验证了该方法的有效性，并将所得器件与使用传统化学方法制备的最先进器件进行了性能对比，结果显示，其性能与传统方法制成的器件大致相当。