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日本国家先进工业科学技术研究所（AIST）的研究人员与东京电机大学合作，首次确定了硅基量子比特设备中存在的长期电不稳定性问题的原因。在这项研究中，该团队确定了氧化物/半导体界面处的电子捕获现象是导致Fin型量子比特设备出现电不稳定性的源头。他们的这一成果为开发硅基量子比特制造技术，实现硅量子计算机的稳定运行提供了有益的指导。