科学家利用理论方法研究了碳化硅自旋缺陷(量子比特)的产生机制

最近,来自芝加哥大学和阿贡国家实验室的研究人员利用理论方法研究了由碳化硅中一种原子级缺陷构建的量子比特。通过将最先进的材料模拟和基于神经网络的采样技术相结合,该研究团队发现了这种宽带隙半导体中自旋缺陷(即量子比特)的原子产生机制。碳化硅是一种很有前途的半导体,用其制造的量子比特具有较长的相干时间和全光学自旋初始化与读出能力。

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