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变分量子特征求解器（VQE）是近期量子化学应用中一种有前景的算法，但选择最优的试探电路仍具挑战性。可表达性作为衡量电路探索希尔伯特空间能力的指标，曾被提出用于指导试探电路选择，但近期研究表明，在实际噪声下，该指标对H₂的VQE性能预测并不一致。该团队将此研究扩展至H₂和H₃⁺两种分子，涵盖四种执行场景：理想、有噪声、采用零噪声外推（ZNE）的噪声环境以及采用概率误差消除（PEC）的噪声环境。研究发现误差缓解并未可靠恢复可表达性的预测能力。ZNE仅对12个H₂电路中的4个和6个H₃⁺电路中的4个降低了误差，而PEC反而使12个H₂电路中的11个和所有6个H₃⁺电路的误差增加。研究人员复现并扩展了Saib等人关于电路排序在噪声下发生混乱的关键发现（理想排序与噪声排序间的斯皮尔曼ρ≈-0.1），并识别出一项新结论：ZNE基本保留了噪声排序（H₂的ρ=+0.80），而PEC则主动重新排序（ρ=-0.22）。基于密度矩阵模拟计算的噪声可表达性对H₃⁺的无缓解性能具有强预测力（皮尔逊r=+0.91，p=0.01），但该指标在大规模计算中不可行。团队证明，诸如双量子比特门计数等零成本电路拓扑指标，对PEC退化提供了相当或更优的预测能力（H₃⁺的r=+0.96），而标准可表达性则最优地预测了H₂的噪声与ZNE性能（r分别为+0.74和+0.77）。