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以α、β、γ及额外高能粒子形式存在的电离辐射，可通过声子和准粒子中毒效应在超导量子比特中引发退相干。近期研究利用宇宙射线或置于量子比特封装附近的受控放射源探索了这一效应，并得出结论：减少此类“外部”环境辐射可能有利于量子比特器件的稳定运行。然而，对于直接“沉积”在器件及封装表面的²²²Rn长寿命不稳定子体所产生的影响，尚未得到充分探索。这种沉积过程在暗物质直接探测领域广为人知，它贯穿器件及其封装从制备到测试的整个生命周期，会产生局部α衰变源，且该衰变源可保持活性数十年之久。由于该效应与芯片面积成正比，理解并管理这一电离辐射源，对于以抗辐射方式成功扩展量子计算架构至更多量子比特数量具有重要意义。该团队提出了一种实验装置，可将氡子体沉积速率提升至环境水平的7×10⁴倍，从而原位研究这些事件对超导量子比特的影响。此外，该研究还展望了这一电离辐射源对当前及未来量子比特阵列的潜在影响。