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微加工离子阱芯片是一些最先进量子计算机的核心部件。在离子阱芯片上如何排列和控制大量离子，取决于所选的阱架构。其中一种架构是量子弹簧阵列（QSA）。在QSA架构中，离子链排列成二维晶格，并与相邻位置上离子链的径向和轴向方向发生相互作用。这种相互作用（或称耦合）通过库仑力实现，同时离子被约束在各自独立的捕获位点中，其强度与间距的三次方成反比。因此，控制晶格中离子间距的能力至关重要。在以往的工作中，离子间的径向间距通过控制射频赝势来调节，但实验发现，在维持低加热速率的同时实现这一调控颇具挑战性。在本工作中，研究人员提出了一种离子阱芯片设计，该设计仅使用直流电压即可调节离子间的径向距离。径向输运通过专门设计的过渡区，在不同交互区域（指定用于量子操作）之间执行。该类型离子阱芯片的样机在熔融石英衬底上完成微加工制造。其功能通过以下方式得到验证：展示单个离子在直流控制下穿过过渡区的径向输运，并测量阱中心的杂散场和离子加热速率。此外，还介绍了此类阱的多金属层版本的制造工艺，作为所提出芯片设计的扩展路径。