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由半导体量子点制成的非经典光子源，其发射波长位于电信C波段，是构建低损耗、长距离光子量子通信网络的关键组件。本文设计并制备了在GaAs(111)A衬底上生长的无应变In₀.₇Ga₀.₃As/In₀.₇Al₀.₃As量子点，可作为1550 nm窗口的单光子发射器。该量子点通过分子束外延环境中的局部液滴刻蚀方法生长，采用与量子点材料具有相同晶格常数的薄In₀.₇Al₀.₃As变质缓冲层，从而实现了量子点的完全无应变自组装。量子点具有C₃ᵥ对称性，基态发射波长在1400–1600 nm范围内。激子寿命约为1.3–1.9 ns，线宽低至约300 μeV，表明所制备的量子点具有良好质量。在脉冲激发下进行的二阶自相关测量证实了发射器的单光子纯度，其\(g^{(2)}(0)\)值为\(0.141 \pm 0.027\)。