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我们报道了基于Nb/NbN和Nb/TiN超导堆栈的多层三维纳米桥约瑟夫森结的实现，这些结构采用电子束光刻和氯基干法蚀刻工艺制备。在该架构中，高电阻氮化物层定义了几何弱连接，而顶部Nb层决定了堆栈的整体临界温度和薄膜质量。这种多层设计无需依赖聚焦离子束铣削或氧化物隧道势垒，即可实现超导能隙和邻近效应的调控。这些器件已成功集成到直流SQUID中，展现出可靠的电路级工作性能。通过将材料选择性与三维几何结构相结合，该平台为适用于超导电子学的无氧化物约瑟夫森结提供了一条可扩展的制备路径。