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锗量子点空穴自旋量子比特可实现全电学操控，并正朝着多比特操作方向迈进。然而，其相干性受到电荷噪声、驱动场诱导频移及由此产生的系综1/f退相干的限制。本工作通过理论证明，双色驱动方案可在不牺牲电偶极自旋共振（EDSR）速率、无需额外设计门控电路或微波工程的情况下，消除控制场导致的二阶频移。基于这一特性，研究人员进一步证实双色控制能创建宽操作窗口，降低对准静态电荷噪声的敏感性，从而提升单量子比特门保真度。该方法为锗空穴自旋量子比特提供了低功耗稳定频率操作的解决方案，并可直接推广至其他半导体自旋量子比特平台。