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该研究团队探究了二硫化钼（MoS2）中费米子与激光场及静态势垒的相互作用机制，重点关注其量子隧穿概率。研究旨在理解并调控这种二维材料在外场驱动下的光子辅助量子输运特性。研究人员采用Floquet近似方法描述系统三个区域的波函数，通过边界连续性条件建立包含无限Floquet模式的方程组，并明确求解出中心能带E与第一边带E±ℏω的透射特性。针对高阶能带，该工作结合转移矩阵法与电流密度计算透射系数。研究结果表明：自旋向上与向下电子的透射概率均呈现振荡特征，其中自旋向下电子的振荡周期近乎自旋向上电子的两倍。在所有能带中，中心能带始终保持着最高透射率。研究还发现增强激光场强度或增大势垒宽度均会导致透射率下降，而通过调节激光强度与系统参数可实现透射能带的可控分选与滤波。这些发现揭示了激光调控二硫化钼结构在超高灵敏度电磁传感器和先进光电器件领域的应用潜力。