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该研究团队证明，将交变磁体与非厄米拓扑绝缘体近邻耦合，为构建非厄米高阶拓扑相提供了一种有效机制。交变磁序能在拓扑边缘态中打开能隙，并驱动体系从一阶拓扑相转变为二阶拓扑相。当与非互易跃迁结合时，该系统同时表现出非厄米趋肤效应和“趋肤-拓扑”混合效应——一阶边缘态与二阶角态会选择性聚集在晶格的特定角落。研究人员发现圆柱几何下边缘态的谱缠绕数决定了这种角局域化行为，且可通过调节交变磁序实现方向反转。这使边缘态与角态均能实现定向调控。该工作确立了交变磁体作为实现并调控非厄米高阶拓扑系统中“趋肤-拓扑”现象的多功能平台。