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该研究团队在Si/Si1-xGex/Si双阱异质结构中构建垂直双量子点（DQD），通过实际器件建模与数值模拟，实现了对Loss-DiVincenzo（LD）电子自旋量子比特的全电学调控。研究发现：由于DQD中涌现的自旋轨道相互作用及栅电极应变作用，虽仅有百分比量级但确实存在g张量变化；同时观测到约250μeV量级的显著能谷劈裂（Ev）。这些特性为快速电控单量子比特旋转提供了多种途径——交流电场可诱发电偶极自旋共振（EDSR），而交流磁场中的电子自旋共振（ESR）则可通过栅极调控DQD中变化的g因子实现电学操控。研究还证明，在垂直与水平方向相邻量子点间穿梭电子，可实现亚纳秒级超快单量子比特门操作。值得注意的是，该DQD架构完全无需微磁体，显著提升了半导体代工厂中LD自旋量子比特的可扩展性。