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相干传送模式自旋量子比特穿梭技术的最新进展，正为构建大规模量子计算平台铺平道路，该平台通过自旋量子比特穿梭实现量子互联。该研究团队开发了一种仿真工具，用于数值研究Si/SiGe异质结构中器件缺陷对传送模式自旋相干性的影响。研究人员模拟了移动电子自旋量子比特在以下因素作用下的量子演化：散布于Si/SiGe异质结构中且靠近穿梭通道的单个带电点缺陷、单电荷缺陷相对于穿梭通道中心的不同空间位置、穿梭电子在具有轨道能级间g因子差异时的多轨道态，以及电子-声子相互作用引发的轨道弛豫。通过该仿真框架，该工作确定了异质结构中带电点缺陷对传送模式自旋量子比特穿梭器件的临界密度阈值，并量化了单个缺陷对量子比特相干性的影响程度。