在强连通噪声下,transmon量子比特环的保真度最优点

该研究团队在transmon量子位系统中考察了量子操作保真度,重点关注SWAP门和通用门操作。结果表明即使在强噪声环境下也存在明显的保真度甜区现象,表明优化电路深度可提升门操作性能。研究进一步揭示特定初始态(尤其是具有有利对称性或纠缠结构的态)能实现更高保真度,达到符合量子纠错阈值的水平。最后,该工作提出了一种监督机器学习框架,能够预测保真度甜区位置,从而实现对不同设备配置下电路时长的有效优化。
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提交arXiv: 2025-11-11 13:59

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