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量子比特的退相干性主要源于其内部的寄生电阻。该研究通过纯Caldeira-Leggett电路模型（不依赖外哈密顿量），分析了由量子比特光子与寄生电阻原子间物理相互作用导致的退相干过程。分析表明，该电噪声模型与约翰逊-奈奎斯特噪声模型高度吻合。研究获得了近似描述退相干过程的Lindblad主方程所需的量子比特相干性损失发射/吸收速率。数值代入分析结果与先前的测量数据呈现显著相关性。当前分析还可推导出适用于未来模拟的电路特征参数。