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参数调制技术因其多功能性，被广泛应用于超导电路中的量子模拟和高保真度双量子比特门操作。传统上，量子比特耦合强度由参数化磁通脉冲的幅度决定，但这会显著影响量子比特参数特性。本研究提出并实现了一种相位调制方案，通过调节施加于两个耦合量子比特的参数化磁通脉冲间的相对相位来调控相互作用强度。该团队在侧边带耦合中对这种调制进行了表征（包括最佳工作点和偏离最佳点的情况），通过布居数动力学和能谱学方法证实了宽范围的耦合强度调控能力。这种实现耦合强度相位控制的方法，为参数化驱动的量子模拟和门操作提供了理想选择。