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该团队建立了一种由系统尺寸控制的非厄米体系中拓扑相变的新机制。基于一种称为异常边界（EB）能带工程的新范式，该机制的运作依赖于异常点附近独特的临界标度行为，与众所周知的非厄米趋肤效应完全无关。通过一系列试探模型，该团队通过解析推导和数值模拟揭示了拓扑相变如何随系统尺寸变化，并呈现出日益复杂的拓扑相边界。该团队的方法可广泛应用于设计多维晶格中具有标度依赖性的能带结构（无论有能隙还是无能隙），这对既有的临界行为和纠缠行为提出了挑战。该机制可在任何具有多样化耦合或多轨道元胞的非厄米平台（如光子晶体、经典电路和量子电路）中进行实验验证。这种新型EB能带机制的发现，为通过非厄米系统特有的标度依赖现象来设计能带结构提供了新的原理。