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自旋基量子处理器在规模化发展中的最新进展揭示了与热效应相关的意外问题。研究发现，操控和读取量子比特所需的微波脉冲会导致自旋环境过热，进而意外诱发拉莫尔频移，从而降低门保真度。本研究通过实验表征硅中单个空穴自旋拉莫尔频率的温度依赖性，揭示了这些难以捉摸的热效应。研究结果明确表明，热敏感性的根源在于电学效应——该效应源于自旋轨道耦合诱导的电极化率。该工作对自旋静电环境和旋磁特性进行了精确建模，确定了是随温度升高而解冻的电偶极子导致了这些频移。令人惊讶的是，研究人员发现热敏感性可通过磁场角度进行调控，甚至可完全抵消，从而揭示出空穴自旋对热效应完全免疫的“甜蜜点”。这些发现对于优化自旋基量子处理器的保真度具有重要意义。