量子科技中心_量科网

该研究团队分析了在任意时变驱动下且可能承受大静态电势和温度偏置的多端子多通道导体中的噪声。研究表明，完整非平衡零频噪声受到涨落-耗散关系的约束，其上界可表示为时变驱动产生的各独立Floquet能带电流分量的加权组合。在大静态温度偏置极限下，该约束可直观理解为静态电势偏置及时变驱动所导致的耗散功率。此外，团队还揭示了第二种约束关系——其源于驱动作用下电子分布的特殊形态，该约束往往比涨落-耗散关系更为严格。研究人员以实验常用的交流偏置双端子导体为例，阐明了这些约束条件的物理意义。