量子科技中心_量科网

该研究团队探究了不同噪声源条件下量子电路的反聚集特性。在“弱噪声区域”，研究人员发现各类噪声均呈现相似作用模式，使得特定比特串概率呈现普适性分布——这种分布基本不受具体噪声通道或电路架构影响。此外，该工作识别出三种与电路深度相关的特征区域：浅层区域噪声效应呈微扰性弱影响；中层区域电路固有涨落与噪声效应势均力敌；深层区域输出分布会呈现准经典特性（其修正项随噪声强度呈指数衰减）。通过建立有限深度通用电路反聚集特性的定量预测模型，并辅以数值模拟验证（即使在浅层电路中也呈现完美吻合），该研究表明：相较于仅适用于深层电路的随机矩阵理论区域，这些发现可直接应用于现有“Quantum Processor”并展现出更普遍的量子行为特征。