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该研究对InGaN纳米线进行了全面的物理和光学特性研究，以解决绿光波段的技术难题。研究人员采用扫描电子显微镜、阴极荧光光谱和共聚焦扫描显微镜等技术，对纳米线的形貌结构及光学特性展开系统分析。值得注意的是，随着铟浓度的增加，纳米线不同区段的发光特性发生改变并伴随发射红移现象。该工作揭示了铟元素组分不均匀性与纳米线光学发射特性之间的重要关联，这些发现为优化生长条件、提升色彩准确性及光学效率提供了关键依据，彰显了其在下一代高性能LED及光电器件中的应用潜力。