量子科技中心_量科网

Si/SiGe异质结构中低能谷激发的存在常导致自旋量子比特失效，因此开发表征谷耦合的稳健方案至关重要。该研究团队发现：对谷能分布进行实际尺寸采样往往会显著高估平均谷耦合值，但通过同时获取谷相位和谷分裂信息可大幅提升估算精度。基于此认知，研究人员提出一种创新方法——利用简单g因子测量探测量子阱中的谷相位分布。该方案的关键校准步骤是测量环绕谷涡旋闭合回路的g因子（此处谷相位绕谷分裂零点发生±2π卷绕）。该工作为探测自旋量子比特建立了新型工具，并可在现有实验中实现。