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该研究团队提出了一种结合原子层蚀刻与沉积（ALE和ALD）的干式表面处理技术，用于降低硅基铝薄膜全制备超导量子器件中的介电损耗。该处理作为器件封装前的最后工序，先通过ALE均匀去除暴露表面的原生金属氧化物与制备残留物，再原位利用ALD在金属表面沉积薄层电介质封装层。在经处理的铝基谐振器与平面transmon量子比特中，研究人员观测到由双能级系统（TLS）吸收导致的损耗降低了两倍。采用紧凑电容板及间隙结构的处理后transmon器件，其品质因数Q的中位值达（3.69±0.42）×10⁶，T₁寿命中位值为196±22微秒。这些性能提升可维持数月之久。研究指出，ALE与ALD联用技术能逆转制备过程导致的表面损伤，通过降低电容元件中TLS缺陷密度实现器件性能的显著且持久的改善。