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超导量子比特的退相干主要源于非晶界面的缺陷。与离散缺陷的相互作用会导致量子比特操作中断，使能量弛豫时间T₁的分布出现非高斯拖尾，从而降低系统性能。缺陷的光谱扩散随时间推移会引起T₁波动，为校准带来挑战。该团队测量了可调频flux-tunable transmons在不同工作频率下的能量弛豫特性，并通过改变量子比特几何结构将界面参与比调整超过一个数量级。实验结果证实损耗主要由离散界面缺陷主导。更重要的是，研究人员成功将主要缺陷定位在距量子比特结500纳米范围内——该区域存在剥离工艺残留物。这些发现为开发新型量子结制备工艺提供了方向，需规避剥离工艺固有的残留问题。