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磁通捕获是限制超导电子器件可靠性和可扩展性的主要障碍，然而现有的磁通涡旋成像工具仍存在速度慢或灵敏度不足的问题。该研究团队展示了一台低温宽场NV-金刚石磁显微镜，能够对超导器件中的磁通捕获进行快速、微米级成像。通过这项技术，研究人员测量了铌薄膜和图案化条带中的涡旋排斥场，揭示了条带宽度在10至20微米之间时排斥行为的转变。观测到的标度关系与理论模型吻合，并表明薄膜缺陷对涡旋排斥动力学存在影响。该仪器实现了超导材料和电路的高通量磁学表征，为可扩展超导电子器件中的磁通抑制策略提供了新见解。