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确定性单光子源在通信波段的开发是实现量子通信与光量子计算的关键挑战。该研究团队探索了分子束外延生长半导体量子点在电信O波段和C波段的发光特性与单光子发射行为。这些量子点嵌入固定铟含量的InGaAs基质中，生长于组分梯度渐变的InGaAs缓冲层之上。这种结构未来有望实现电接触纳米腔集成，从而获得高质量、高亮度量子点发射。通过详细光学表征，研究人员观测到低至50微电子伏特的谱线宽度（接近光谱仪分辨率极限）、约10微电子伏特的细微结构分裂度，以及二阶关联函数g^(2)(0)值最低达0.08。这些成果提升了当前基于砷化镓衬底的分子束外延量子点在通信波段的性能指标，并展示了所述异质结构在光子器件集成中的应用潜力。