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单层V2O3作为一种具有本征铁磁序和非平庸带隙的二维磁性拓扑绝缘体，为实现量子反常霍尔态（QAH）提供了理想平台。通过第一性原理密度泛函理论计算，该研究团队系统探究了基底选择对其电子与拓扑特性的影响。构建范德瓦尔斯（vdW）基底异质结模型表明，h-BN等非磁性基底能维持C=1的陈数拓扑相，保留无间隙手性边缘态；而铁磁基底会引入额外电子，通过费米能级位移破坏拓扑序。这些发现确立了基底工程是实现V2O3基vdW异质结无耗散边缘输运的关键实验策略，推动了其在低功耗拓扑电子器件中的潜在应用。