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该研究团队研究了单电子双层石墨烯量子点中由于自旋轨道耦合引起的自旋弛豫。自旋弛豫通过键长变化和形变势机制以及1/f电荷噪声的声子发射得到辅助。在自旋弛豫率T₁−¹的垂直磁场依赖性中，研究人员预测在较高磁场下T₁−¹会单调增加，其中形变势引起的电子-声子耦合在自旋弛豫中起主导作用。在较低磁场下，由于键长变化引起的电子-声子耦合与1/f电荷噪声之间的竞争，T₁−¹的下降趋势不太明显。最后，该工作详细比较了自旋弛豫的磁场依赖性与Banszerus等人[Nat. Commun. 13, 3637 (2022)]和Gächter等人[PRX Quantum 3, 020343 (2022)]的现有实验结果。