该团队展示了利用CMOS成熟工艺在200毫米晶圆上制造超导量子比特的工业级成果。通过室温下的自动晶圆探针电阻测量，研究人员在超过10000个约瑟夫森结中实现了99.7%的制造良率（短路和开路），并且量子比特频率预测精度达到1.6%。在低温表征中，该工作提供了关于量子比特能量弛豫时间的统计结果，其中中位T1时间高达100微秒，个别器件在长期测量中持续接近200微秒。这代表了迄今为止通过工业级、晶圆级减成工艺制造的超导量子比特的最佳性能。
