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该团队研究了在 \(^{85}\mathrm{Rb}\) 和 \(^{87}\mathrm{Rb}\) 同位素的 D\(_1\) 和 D\(_2\) 跃迁上的光学存储效率与存储时间。在两种同位素的 D\(_1\) 线上均实现了高达 \(44\%\) 的最大效率，存储时间可达 1.5 毫秒。这些性能水平得益于充有缓冲气体的温铷蒸气池、大光学深度，以及基于单光子和双光子失谐优化的近共振 EIT 方案。该结果为准简化实验配置中温铷蒸气光学存储器的性能优化提供了实用指导。该研究预计，本文采用的优化方法，特别是通过升高温度并确定最优的单光子和双光子失谐，应能进一步提升量子存储器的性能。