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该团队报告了超导MoSi薄膜的化学计量比对超导纳米线单光子探测器(SNSPDs)性能的影响。具体而言，研究人员探究了薄膜参数临界温度 \(T_c\) 、方阻 \(R_s\) 和超导体厚度 \(d\) 之间的关系，并观察到一种普适的标度行为。为了比较由不同化学计量比薄膜制备的SNSPD的性能，该工作测量了探测器在780 nm至1550 nm波长光照下偏压依赖的计数率曲线。针对不同纳米线宽度，探测器性能随光子能量的变化揭示出探测电流与光子能量之间的线性关系。此外，该团队通过测量SNSPD的回滞电流，确定了超导薄膜与衬底之间的界面热边界电导 \(\beta\) ，并发现 \(\beta\) 随Mo浓度的增加而增大。在所有对比器件中，灵敏度最高的是Mo\(_{0.53}\)Si\(_{0.47}\)，其在5.4 nm薄膜厚度下具有较低的 \(T_c\) (4.1 K)和较高的 \(R_s\) (397 \(\Omega\)/sq)。