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该团队提出了一项关于单层二硒化钨（WSe$_2$）在静电标量势作用下应变工程量子输运的综合理论研究。通过在低能狄拉克框架中引入应变效应，分析了其对自旋和谷分辨的透射率、电导及极化特性的影响。施加的势垒将系统划分为三个不同区域，从而能够解析推导各区域的波函数。通过强制界面连续性条件，得到了透射和反射振幅的精确表达式。透射概率由相应的电流密度计算得出，而电导则利用Landauer-Büttiker形式获得，进而定量确定自旋和谷极化。数值分析表明，应变是一种强大的调控参数，能够重塑电子色散并显著改变输运特性。特别是，透射率和电导表现出由量子干涉和共振隧穿机制驱动的显著振荡行为。更重要的是，自旋和谷极化均随应变、势垒高度和入射能量呈现显著且高度可控的变化。这些结果表明，应变与静电工程为操纵WSe$_2$中的自旋-谷自由度提供了高效且多功能的平台。调控极化与干涉效应的能力，为基于二维过渡金属硫族化合物的下一代自旋电子学、谷电子学及光电器件设计带来了广阔前景。