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本文描述了在温度低至 T=4K、频率范围 5-12 GHz 下，采用源牵引法对 FET 噪声参数进行直接晶圆级测量的装置与结果。该装置包含一个带有晶圆探针的低温恒温器、两个反射计、一个可编程阻抗发生器、宽带隔离器、偏置器以及低噪声前置放大器，所有组件均冷却至低温，从而能够对分立晶体管和放大器芯片执行全矢量误差校正的晶圆级测量。该装置及其校准流程的设计方式，使得在一次降温过程中，能同时对多个 FET 进行校准、S 参数、噪声参数和 I-V 曲线测量。利用所述装置，研究人员首次对 14nm FinFET 进行了测量，并测量了基于这些 FET 的 LNA 的噪声参数。最终的噪声温度值将与采用独立替代测量技术所获得的结果进行对比。