非均匀自旋系综中量子比特的最优控制存储

自旋系综中的量子信息存储受到实际不可避免的非均匀展宽效应的限制,且此类系综包含的宏观自旋数量使得设计延长相干时间的控制方案成为一项艰巨任务。结合同步开发的克雷洛夫理论(该理论使研究团队能高效处理控制问题),该团队为此类自旋系综设计了最优腔调制方案,与由非均匀性和腔衰减造成的损耗相比,该方案使量子比特寿命提升了一个数量级。

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提交arXiv: 2026-04-15 14:14

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