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尽管在多种物理平台上实现非平庸哈密顿量工程已取得显著进展，但制备其对应的非平庸基态仍是实验领域的重大挑战。当前常用的态制备策略依赖于绝热调控方案。然而，当平庸初始态通过幺正演化向非平庸区域转变时，系统动力学必须穿越能隙闭合的临界点，这导致该过程本质上是非绝热的，最终态仍保持拓扑平庸性。本研究提出了一种用于二维拓扑绝缘体中非平庸态动态制备的非幺正方法。通过在缓慢驱动的幺正演化中引入退相干噪声，该团队证实所得退相干态的拓扑数可与目标非平庸哈密顿量的拓扑数完全吻合。这种近绝热的非幺正态制备方案为获取拓扑态提供了一种超越传统绝热路径的有效替代方案。