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由超导体-半导体混合约瑟夫森元件构建的transmon量子比特中，其非谐性（定义为能级间距差异）是一个关键设计参数。通过调控约瑟夫森能量和弱连接透明度的栅极电压，可实现非谐性的电学调谐。在Sn-InAs纳米线transmon器件中，该研究团队采用双音微波谱技术提取出绝对值范围从transmon充电能Ec直至小于Ec/10的非谐性。这一现象与多通道短结模型的预测形成鲜明对比——该模型将非谐性下限设定为Ec/4。即使在最低非谐性工作点时，量子比特仍能保持相干操作。这些发现证明了具有宽范围电调谐非谐性的量子电路的应用潜力。