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场发射（FE）电子源被制作至接近原子尺度，以实现电子显微镜、电子束检测和光刻技术所需的最高空间分辨率及稳定发射。目前学界尚未就如何利用FE电流-电压数据推算表观发射面积（预测某些束流特性的关键参数）达成统一方法。虽然1956年Murphy和Good（MG）提出的理论比1920年代Fowler-Nordheim（FN）等人的理论更具物理准确性，但许多研究者仍采用简化FN理论分析实验数据。本研究提出了一种基于场离子-场发射电子显微镜（FIM-FEM）的表观发射面积实验测定方法。FIM-FEM法与MG理论分析结果的发射面积差异因子为7.4，而与简化FN理论分析的差异高达25倍，证实MG理论更适用于FE数据分析。该结果可推导出源能量展宽、降低亮度及发射效率等关键指标。研究团队提供了可下载程序辅助分析。该工作为表征FE电子源（尤其是现有基于绘图数据分析方法不适用的原子尺度冷阴极）提供了一种新型实验方法。